当两种不同的材料接触时，二维 (2D) 材料在横向和垂直方向上都形成异质结构，但面内共价键与范德华层状相互作用的键合机制完全不同。了解横向和垂直力之间的竞争如何影响外延生长对复杂混合层状异质结构的未来材料开发非常重要。近日，德克萨斯大学奥斯汀分校Jamie H. Warner等通过原子分辨率环形暗场扫描透射电子显微镜研究由两种具有明显不同晶体对称性和元素组成的半导体 Pd2Se3:MoS2组成的混合二维异质结构界面处的详细原子排列，以了解所得外延上的不同化学键。本文要点：1）Pd2Se3在双层MoS2的阶梯边缘生长，并研究了Pd2Se3-MoS2异质结构的垂直和横向外延关系。作者发现一种金属（Pd或Mo）原子与两种硫属元素（S或Se）键合的界面几何形状的相似性是制造二维异质结构原子缝合横向结的关键因素。2）此外，如果界面原子缝合质量高且缺陷密度低，则通常在层状材料中占主导地位的垂直范德华相互作用可以通过面内力来克服。该工作的发现有助于指导改进杂化二维异质结构中的外延和无缝拼接具有各种复杂单层结构的平面内二维异质结构的方法。Hyoju Park, et al. Atomic-Scale Insights into the Lateral and Vertical Epitaxial Growth in Two-Dimensional Pd2Se3–MoS2 Heterostructures. ACS Nano, 2022DOI: 10.1021/acsnano.2c09019https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.1c09019