具有缺陷的过渡金属二硫化物(TMD)量子点因其独特的光学、物理、催化和电学性能而引起了研究者的广泛兴趣。然而，如何在硫化钼(MoS2)量子点中引入工程定义缺陷仍具有很大的挑战性。新加坡国立大学David Tai Leong、Slaven Garaj和Houjuan Zhu采用生物矿化辅助的自下而上策略制备了具有高密度缺陷的蓝色光致发光MoS2量子点(B-QDs)。 本文要点：（1）实验首先通过Mo和硫化物离子的化学反应自下而上地合成了原始型MoS2量子点(O-QDs)，然后对其进行碱性蚀刻以产生高硫空位缺陷，***终构建了B-QDs。碱性蚀刻能够显著增强光致发光(PL)和光氧化。研究发现，缺陷密度的增加会导致活性位点增加以及带隙能量降低，实验也通过进一步的密度泛函理论计算进行了验证。（2）由于S1-T1间隙能(EST)降低以及系统间交叉(ISC)效率提高，因此QDs与O2的结合亲和力得到了增强。降低的间隙能有助于e--h+对的形成，进而增强QDs与3O2的结合亲和力。综上所述，该研究表明缺陷工程能够作为控制材料性能的重要策略之一，并为拓展TMD纳米材料的应用前景提供了新的借鉴。Houjuan Zhu. et al. Defect-rich Molybdenum Sulfide Quantum Dots for Amplified Photoluminescence and Photonics Driven Reactive Oxygen Species Generation. Advanced Materials. 2022DOI: 10.1002/adma.202200004https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.202200004