众所周知，太阳能电池技术发展的关键是要能够确定限制其性能的因素。近年来，基于Cu2ZnSn(S,Se)4的太阳能电池显示出***潜力的功率转换效率（PCE）。但是与其他太阳能电池相比性能仍然较差。近日， 南洋理工大学Lydia H. Wong团队通过比较Cu2ZnSnS4和Cu2CdSnS4的缺陷形成能和光电特性，揭示了深能级缺陷诱导的2CuZn+SnZn缺陷簇的性能限制作用。结果表明，通过在铜组成区中用Cd替代Zn可以抑制这些有害的缺陷簇。尽管CuZn+ ZnCu和CuCd+CdCu位点的形成能相似，但用Cd取代Zn会显著降低带隙波动。***后，Cu2CdSnS4太阳能电池的PCE为效率为7.96％，是基于Cu2ZnSnS4的太阳能电池中***高的效率。Shreyash Hadke, Sergiu Levcenko, Gopalakrishnan Sai Gautam, Charles J. Hages, José A. Márquez, Victor Izquierdo‐Roca, Emily A. Carter, Thomas Unold, Lydia H. Wong. Suppressed Deep Traps and Bandgap Fluctuations in Cu2CdSnS4 Solar Cells with ≈8% Efficiency. Adv. Energy Mater., 2019.DOI：10.1002/aenm.201902509原文链接：https://doi.org/10.1002/aenm.201902509